屏蔽类电源滤波器
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时间: 2024-09-04 15:59:48 | 作者: 屏蔽类电源滤波器
科技日报东莞10月16日电（记者龙跃梅通讯员张玮）记者16日从我国散裂中子源（CSNS）得悉，CSNS勘探器团队使用自主研发的磁控溅射大面积镀硼专用设备，近来成功制备出满意中子勘探器需求的高功能大面积碳化硼薄膜样品，单片面积到达1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺度规模内厚度均匀性优于±1.32%，是现在国际上用于中子勘探的最大面积的碳化硼薄膜。
根据硼转化的中子勘探器因其优异的功能已成为当时国际上研讨的热门，跟着CSNS二期工程行将发动，拟建的中子谱仪对大面积、高效率、方位活络的新式中子勘探器需求急迫。怎么制备出高功能中子转化碳化硼薄膜是其中最中心的技能，现在也只要美国、欧洲等少量几个发达国家把握了该项技能。2016年，在核勘探与核电子学国家重点实验室的支撑下，CSNS勘探器团队与同济大学朱京涛教授协作，开端研发一台磁控溅射大面积镀硼专用设备，镀膜厚度规模为0.01—5微米，一起支撑单、双面镀膜，支撑射频和直流镀膜。2021年6月，该设备通过检验并投入使用。
据了解，通过多年的技能攻关和工艺试制，团队使用该设备制备了多种标准的碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子勘探器，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化，为接下来研发更大面积的高功能新式中子勘探器供给了强有力的技能支撑。
